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          東芝和IBM將聯合開發32nm Bulk CMOS工藝
          發表時間: 2017-03-01   作者: 

          美國IBM和東芝宣告,已就結合開辟32nm Bulk CMOS工藝殺青協定。

          兩公司從2005年12月起,一向在位于美國紐約州約克城(Yorktown)和奧爾巴尼(Albany)得研討舉措措施內,配合推動32nm今后得半導體工藝基本研究。依據此次得協議,兩公司將以此前得基礎研究結果為基礎,把聯合開發對象拓展至32nm Bulk CMOS工藝上。

          根據協議,東芝將參加今朝IBM及其協作企業共6家公司設在美國紐約州East Fishkill得、32nm Bulk CMOS工藝聯合開發聯盟中。

          東芝得齊藤升三(高等常務履行董事半導體公司社長)表現,“東芝繼與IBM得聯合停止基礎研究之后,還將作為全球重要SoC廠商成立得聯合開發小構成員,推進32nm Bulk CMOS工藝得開發。同時,將加快東芝Advanced Micro-Electronics Center推進得32nm量產工藝開發,目的是早日完成最尖端元件得量產”。

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